MRF6VP3091NR1 MRF6VP3091NR5
MRF6VP3091NBR1 MRF6VP3091NBR5
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RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
PACKAGE DIMENSIONS
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MRF6VP3091NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6VP3091NR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 50V 4.5W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6VP3450HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6VP3450HR5-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MRF6VP3450H Series 470 - 860 MHz 110 V N-Channel RF Power Mosfet
MRF6VP3450HR6 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF6VP3450HR6_10 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF6VP3450HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray